Товар добавлен в
корзину

Отправить заявку

Для уточнения цены и количества товара заполните, пожалуйста, данную форму. При необходимости прикрепите файл

Файл заявки
*
- поле, обязательное для заполнения
Защита от автоматического заполнения  
Подтвердите, что вы не робот*

Память DDR4 4Gb 2666MHz Silicon Power SP004GBSFU266N02 RTL PC4-21300 CL19 SO-DIMM 260-pin 1.2В single rank Ret

Производитель: silicon power

Партномер: sp004gbsfu266n02

Технические характеристики

Модель SP004GBSFU266N02
Скорость (тест) 2666МГц
Напряжение (тест) 1.2В
Ссылка на сайт поставщика/вендора https://www.silicon-power.com/web/by/product-DDR4_SODIMM
Тип Оперативная память
Суммарный объем памяти всего комплекта 4
Объем одного модуля 4
Пропускная способность 21300
EANCode 4713436123347

Основные характеристики

Количество контактов 260-pin
Показатель скорости PC4-21300
Латентность CL19
Бренд SILICON POWER
PartNumber/Артикул Производителя SP004GBSFU266N02
Количество рангов (Ranks) single rank
Тип памяти DDR4
Объем 4096
Частотная спецификация 2666
Количество в упаковке 1
Тип поставки Ret
Форм-фактор SO-DIMM
Буферизация unbuffered